• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
当前位置：首页
IPA086N10N3 G /MOSFET N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA086N10N3 G的规格信息
IPA086N10N3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:45 A

Rds On-漏源导通电阻:8.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:14 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:37.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Tube

高度:16.15 mm

长度:10.65 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.85 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:IPA086N10N3GXKSA1 IPA86N1N3GXK SP000485984

单位重量:6 g

供应商IPA086N10N3 G
IPA086N10N3 G的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城（深圳）科技有限公司IPA086N10N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPA086N10N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司IPA086N10N3 G华强广场C座18J0755-27381274
18098996457		董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IPA086N10N3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司IPA086N10N3 G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司IPA086N10N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPA086N10N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPA086N10N3 G航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城IPA086N10N3 G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPA086N10N3 G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城IPA086N10N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司IPA086N10N3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司IPA086N10N3 G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IPA086N10N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IPA086N10N3 G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市芯奕科技有限公司IPA086N10N3 G深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPA086N10N3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司IPA086N10N3 G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
13510175077		刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPA086N10N3 G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司IPA086N10N3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
IPA086N10N3 G及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
IPA086N10N3 GMOSFET N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO526.89 Kbytes共10页IPA086N10N3 G的PDF下载地址无
IPA086N10N3 G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 75uA 漏源导通电阻：8.6mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37.5W(Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO529.21 Kbytes共10页IPA086N10N3 G的PDF下载地址无
IPA086N10N3 G的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		IPA086N10N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS1+:￥15.2001
10+:￥13.74
25+:￥12.27
100+:￥11.04
250+:￥9.81
500+:￥8.59
1000+:￥7.12
2500+:￥6.63
5000+:￥6.391+:￥12.09
10+:￥9.77
100+:￥7.83
500+:￥7.82
1000+:￥7.26
2500+:￥6.6701
5000+:￥6.6
10000+:￥6.3501
25000+:￥6.311+:￥12.31
10+:￥6.8401
50+:￥6.6
100+:￥5.89
200+:￥5.26
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPA086N10N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS1+:￥15.2001
10+:￥13.74
25+:￥12.27
100+:￥11.04
250+:￥9.81
500+:￥8.59
1000+:￥7.12
2500+:￥6.63
5000+:￥6.39
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPA086N10N3 GInfineon TechnologiesOPTLMOS 3 POWER MOSFET$0.57000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPA086N10N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS1+:￥15.2001
10+:￥13.74
25+:￥12.27
100+:￥11.04
250+:￥9.81
500+:￥8.59
1000+:￥7.12
2500+:￥6.63
5000+:￥6.391+:￥12.09
10+:￥9.77
100+:￥7.83
500+:￥7.82
1000+:￥7.26
2500+:￥6.6701
5000+:￥6.6
10000+:￥6.3501
25000+:￥6.31
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPA086N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 31:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.232
1,000:¥5.989
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		IPA086N10N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS1+:￥15.2001
10+:￥13.74
25+:￥12.27
100+:￥11.04
250+:￥9.81
500+:￥8.59
1000+:￥7.12
2500+:￥6.63
5000+:￥6.391+:￥12.09
10+:￥9.77
100+:￥7.83
500+:￥7.82
1000+:￥7.26
2500+:￥6.6701
5000+:￥6.6
10000+:￥6.3501
25000+:￥6.311+:￥12.31
10+:￥6.8401
50+:￥6.6
100+:￥5.89
200+:￥5.261+:￥15.261+:￥6.68
25+:￥6.62
50+:￥6.55
100+:￥6.49
300+:￥6.46
500+:￥6.44
1000+:￥6.3699
5000+:￥6.31
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		IPA086N10N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS1+:￥15.2001
10+:￥13.74
25+:￥12.27
100+:￥11.04
250+:￥9.81
500+:￥8.59
1000+:￥7.12
2500+:￥6.63
5000+:￥6.391+:￥12.09
10+:￥9.77
100+:￥7.83
500+:￥7.82
1000+:￥7.26
2500+:￥6.6701
5000+:￥6.6
10000+:￥6.3501
25000+:￥6.311+:￥12.31
10+:￥6.8401
50+:￥6.6
100+:￥5.89
200+:￥5.261+:￥15.26
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		IPA086N10N3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 75uA 漏源导通电阻：8.6mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37.5W(Tc) 类型：N沟道1+:￥9.33
200+:￥3.62
500+:￥3.49
1000+:￥3.43
IPA086N10N3 G的相关型号
加为收藏 粤ICP备16009799号